12月16日 消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计mdash，mdash，采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管 。
两家公司于12 月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管 相比，新的半导体设计有可能将能源使用量减少85%三星电子还公布了一项生产 IBM 5纳米芯片的计划，用于服务器
VTFET是一种在芯片表面垂直堆叠晶体管的技术从历史上看，晶体管被制造成平放在半导体表面上，电流横向流过它们借助 VTFET，IBM 和三星已经成功地实现了垂直于芯片表面构建的晶体管，并具有垂直或上下电流
VTFET 工艺解决了许多性能障碍和限制，以扩展摩尔定律，因为芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间它还影响晶体管的接触点，从而以更少的能量浪费获得更大的电流总体而言，与按比例缩放的 finFET 替代方案相比，新设计旨在将性能提高两倍或将能源使用减少85%
IBM和三星电子在美国纽约州的奥尔巴尼纳米技术研究中心联合开发了 VTFET 技术。据韩国路透社报道，三星在一份声明中表示，由于内存中应用设备的生产可能会受到影响，“可能有必要关注比预期时间更长的零部件供应问题。”这也与美光和英特尔的观点一致，此前美光和英特尔曾表示，部分零部件短缺导致客户无法交付其PC产品。。
同一天，IBM还宣布三星将生产基于节点的 5 纳米IBM芯片该芯片有望使用在IBM自己的服务器平台三星在2018年宣布将制造 IBM 的7纳米芯片，该芯片在今年早些时候用于 IBM Power10 服务器系列IBM今年 4 月亮相的人工智能处理器Telum也是三星基于IBM的设计制造的
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